[发明专利]一种解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法有效
| 申请号： | 202211314922.0 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN115369486B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 刘坤;李哲雨;夏秋良 | 申请（专利权）人： | 新美光（苏州）半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王宏 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体领域，涉及一种解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法。异常硅棒为目标电阻率大于70欧姆厘米的P型单晶硅棒，且电阻率超过目标电阻率20%或以上。该方法包括：S1：将异常硅棒加热至600‑700℃，保温50‑100min；S2：继续加热至850‑950℃，保温50‑70min；S3：继续加热至1000‑1200℃，保温50‑70min；S4：将硅棒温度降低至700‑900℃，保温50‑70min；S5：继续将硅棒以大于120℃/min的冷却速度降温至常温。通过上述方法，解决了目标电阻率大于70欧姆厘米的P型单晶硅棒在拉制后由于受到氧施主的影响而变为N型或电阻率虚高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 异常 电阻 导电 类型 反转 方法 | ||
【主权项】：
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