[发明专利]一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺在审

专利信息
申请号: 202211316613.7 申请日: 2022-10-26
公开(公告)号: CN115747955A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 张强;杜金生;常雪岩;张坤;宋泰甫;刘校均;张浩;杨振域;郭红慧;孙晨光;王彦君 申请(专利权)人: 中环领先半导体材料有限公司
主分类号: C30B25/10 分类号: C30B25/10;C30B25/16;C30B29/06;H01L21/324
代理公司: 苏州高专知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32474 代理人: 冷泠
地址: 214000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺,其改善工艺包括以下步骤:S1、首先降低工艺腔体接取片温度可以起到降低弯曲度及翘曲度的作用,由于外延设备仅工艺腔长期维持高温环境,其他传输腔保持常温,硅衬底进出工艺腔时会面临温度突变导致变形的问题,工艺腔的接取片的进行实时降低,降低了温度的突变,可以改善弯曲度、翘曲度,S2、然后调整硅衬底在腔内的升温速度和过程可以减少热应力的堆积降低其形变量。本发明通过优化设备的接取片温度及recipe的升温速率和外延时功率配比可以达到改善硅外延对wafer弯曲度、翘曲度的目的,从而提升了外延工序对衬底弯曲度及翘曲度的接受窗口,方法简单有效。
搜索关键词: 一种 改善 logic 产品 衬底 外延 弯曲 曲度 工艺
【主权项】:
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