[发明专利]选择性蚀刻方法及装置在审
| 申请号： | 202211322315.9 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115376915A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 刘苏涛;苏财宝;林士闵;渠兴宇 | 申请（专利权）人： | 合肥新晶集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02;H01L21/67;B08B3/02 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杜娟娟 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种选择性蚀刻方法及装置，用于对反应槽密封腔体内的待刻蚀物进行刻蚀。方法包括控制密封腔体的内部涌入预设体积的目标蚀刻剂，目标蚀刻剂包括第一含量的蒸馏水及第二含量的酸性物质，第一含量大于第二含量；根据获取的温度压力控制指令控制设置于密闭腔体的侧壁的加热装置加热，利用目标蚀刻剂选择性刻蚀并去除待刻蚀物上的待刻蚀层。上述选择性蚀刻方法的目标蚀刻剂第一含量水大于第二含量酸性物质且刻蚀全过程是在同一个反应槽体内，降低了成本，避免了化学污染与浪费，提高了效率，节约了机台占地空间。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
