[发明专利]过渡金属硫化物薄膜及其制法、阻变存储器及其制法在审
| 申请号： | 202211327632.X | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115802876A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 庄萍萍;林伟毅;闫晗 | 申请（专利权）人： | 集美大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 刘璞 |
| 地址： | 361021 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于薄膜材料技术领域，具体涉及一种过渡金属硫化物薄膜及其制法、阻变存储器及其制法。包括：提供前驱体，所述前驱体选自硫代钼酸铵、硫代钨酸铵、硫代钒酸铵中的至少一种；将前驱体和有机溶剂混合，得到前驱体溶液；将前驱体溶液涂覆到第一衬底上并干燥以由此形成前驱体膜；提供具有形成于其上的硫化物膜的第二衬底；将具有形成于其上的前驱体膜的第一衬底和具有形成于其上的硫化物膜的第二衬底以前驱体膜与硫化物膜面接触的形式层叠以由此形成层叠体；将所述层叠体在含氢气氛中进行退火。本发明能够制备高质量大面积少层二维薄膜，从而兼顾二维材料的优异性能和薄膜在后续工艺中的耐受性，且不受多层薄膜均匀性和晶粒尺寸问题的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡 金属 硫化物 薄膜 及其 制法 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于集美大学，未经集美大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211327632.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
