[发明专利]一种氧化石墨烯神经形态忆阻器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211330993.X 申请日: 2022-10-28
公开(公告)号: CN115623861A 公开(公告)日: 2023-01-17
发明(设计)人: 赵玮;张君;赵春宝;秋珊珊;李秀霞;候平平;赵东东 申请(专利权)人: 南京信息职业技术学院
主分类号: H10N70/20 分类号: H10N70/20
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 210023 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种氧化石墨烯神经形态忆阻器及其制备方法,尤其涉及忆阻器的平面结构,激光诱导石墨烯制备忆阻器电极图案和冷冻自组装制备氧化石墨烯功能层的方法,属于功能材料与信息技术领域,所述氧化石墨烯神经形态忆阻器包括透明基底;氧化石墨烯功能层,设置于所述透明基底的一侧;忆阻器电极,设置于所述氧化石墨烯功能层相对于透明基底的另一侧,本发明所得氧化石墨烯忆阻器性能优良,结构规整,制作简便。
搜索关键词: 一种 氧化 石墨 神经 形态 忆阻器 及其 制备 方法
【主权项】:
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