[发明专利]低电流Micro-LED芯片外延结构及其制备方法、Micro-LED芯片在审
| 申请号： | 202211332801.9 | 申请日： | 2022-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN115548180A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 舒俊;张彩霞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 王建宇 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低电流Micro‑LED芯片外延结构及其制备方法、Micro‑LED芯片，涉及半导体光电器件领域。其中，低电流Micro‑LED芯片外延结构包括衬底和依次生长于所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层及P型半导体层；所述有源层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的InGaN势阱层和GaN势垒层；所述有源层的周期数≥2；至少一个GaN势垒层中插入有AlGaN层。实施本发明，可提升电子空穴的复合，提升发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 micro led 芯片 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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