[发明专利]Micro-LED芯片外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202211333088.X | 申请日： | 2022-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN115548175A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 郭磊;吕守贵;董国庆;文国昇;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/30 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 王建宇 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种Micro‑LED芯片外延片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。其中，制备方法包括以下步骤：(1)提供GaAs衬底，在所述GaAs衬底上形成外延层；(2)在所述外延层远离所述GaAs衬底的一表面上形成牺牲层，得到第一外延结构；(3)将所述第一外延结构与玻璃片键合；(4)去除所述GaAs衬底，暴露所述外延层，得到第二外延结构；(5)将所述第二外延结构与蓝宝石衬底键合；(6)去除所述玻璃片；(7)去除所述牺牲层，得到Micro‑LED芯片外延片成品；其中，所述牺牲层为Ti层、Au层、SiN |
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| 搜索关键词： | micro led 芯片 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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