[发明专利]半导体功率器件及制造半导体功率器件的方法在审
| 申请号： | 202211335559.0 | 申请日： | 2022-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN116072728A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | S·卡西诺;A·瓜尔内拉;M·G·萨吉奥 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 丁君军 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体功率器件及制造半导体功率器件的方法。一种半导体功率器件，具有最大标称电压并且包括：一个第一传导端子和一个第二传导端子；半导体主体，其包含碳化硅并具有第一导电类型；具有第二导电类型的主体阱，所述主体阱容纳在所述半导体主体中并且彼此隔开主体距离；容纳在主体阱中的源区；以及具有第二导电类型的浮置腔体，其形成在半导体主体中，在半导体主体的第一面和第二面之间距主体阱一定距离处。至少对于大于阈值电压的第一传导端子和第二传导端子之间的传导电压的值，浮置腔体包相对于主体阱成形和布置为使得浮置腔体包周围的电场的最大强度大于主体阱周围的电场的最大强度，阈值电压小于最大标称电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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