[发明专利]基于小型微波复合多层基板的大功率PMOS器件应用的实现方法在审

专利信息
申请号: 202211336038.7 申请日: 2022-10-28
公开(公告)号: CN115623696A 公开(公告)日: 2023-01-17
发明(设计)人: 黄球军;黄建 申请(专利权)人: 成都市金天之微波技术有限公司
主分类号: H05K3/30 分类号: H05K3/30;H05K1/18;H05K1/03
代理公司: 成都聚蓉众享专利代理有限公司 51291 代理人: 刘艳均
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了基于小型微波复合多层基板的大功率PMOS器件应用的实现方法,包括有R04003、FR‑4、RT6010和PMOS器件,其实现方法步骤如下:多层板的顶层采用R04003板材,中间层采用FR‑4板材作为电源层,底层采用RT6010板材。PMOS器件的信号通过多层板的盲、埋孔过度到顶层电路。在基板布局时,将PMOS器件安装在对应的顶层进行开窗处理。将PMOS器件安装在下层。在装配时,可直接用螺钉固定在组件盒体内。本发明借鉴LTCC基板的原理,微波组件中采用微波复合多层基板安装大功率PMOS器件,比LTCC基板安装大功率PMOS器件方式减少了钼铜载板,在不降低散热效率的前提下提高了装配效率以及器件的可靠性,同时微波复合多层基板价格便宜很多,在低频微波组件中可以降低很多制造成本。
搜索关键词: 基于 小型 微波 复合 多层 大功率 pmos 器件 应用 实现 方法
【主权项】:
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