[发明专利]一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用在审
| 申请号： | 202211345253.3 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115568277A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 胡志宇;张帅;吴振华;罗思远;刘泽昆;刘妍;施慧烈;傅理夫 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用，该忆阻器由下至上依次为衬底、底电极层、阻变功能层和顶电极层，其中，所述阻变功能层为二维过渡金属硫硒化物异质结层。本发明将二维过渡金属硫硒化物异质结作为阻变功能层与衬底，底电极层和顶电极层组装成忆阻器，这种忆阻器具有快速开关过程、高密度集成、以及更低的能耗等优势，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，适合大规模生产，有望运用在神经突触、图像识别、逻辑计算等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 过渡 金属 硫硒化物异质结忆阻器 及其 应用 | ||
【主权项】：
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