[发明专利]半导体工艺腔室及半导体工艺设备有效
| 申请号： | 202211347495.6 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115692263B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 赵晋荣;韦刚;吴东煜;王海莉 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 周永强 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种半导体工艺腔室包括腔体、内衬和下电极结构，内衬和下电极结构设于腔体内；下电极结构包括基座、接口件、承载件、射频馈入件和屏蔽件；基座通过悬臂与腔体连接；接口件和承载件叠置于基座；内衬环设于下电极结构外，内衬一端与腔体电连接，另一端与接口件电连接；屏蔽件第一端连接至接口件，第二端连接至基座内壁；屏蔽件第一端的轴线与接口件的轴线不重合，且屏蔽件第一端的轴线远离悬臂偏移；射频馈入件穿设于屏蔽件内并与承载件连接。一种半导体工艺设备，包括上述半导体工艺腔室。本申请能够解决刻蚀设备中元件几何结构不对称影响刻蚀均匀性等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 工艺设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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