[发明专利]曝光套刻精度的控制方法、控制装置及套刻系统有效
| 申请号： | 202211353780.9 | 申请日： | 2022-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN115407621B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 张亚楠;彭泽昌;黄风;江玲玲 | 申请（专利权）人： | 合肥新晶集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杜娟娟 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种曝光套刻精度的控制方法、控制装置及套刻系统，控制方法包括：获取当前批次中曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值受其相邻前一层的曝光套刻精度补偿值影响的权重比；根据当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值的差值，及相邻前一层的曝光套刻精度量测值与权重比的乘积，计算当前批次的目标层的目标补偿值；根据当前批次的目标层的目标补偿值对当前批次的目标层的曝光套刻精度量测值进行补偿。上述控制方法进一步考虑了当前批次的相邻前一层对目标层所产生的影响，使得所获得的当前批次的目标层更加精准，减小套刻偏差，并且降低产品重工率，以提升芯片的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 精度 控制 方法 装置 系统 | ||
【主权项】：
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