[发明专利]一种半导体材料晶片的抛光方法在审
| 申请号： | 202211359644.0 | 申请日： | 2022-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN115602531A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 李伟;高苗苗 | 申请（专利权）人： | 深圳市冠禹半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B24B57/02 |
| 代理公司： | 池州优佐知识产权代理事务所(普通合伙) 34198 | 代理人： | 钱奥 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及抛光技术领域，且公开了一种半导体材料晶片的抛光方法，包括以下步骤：步骤1)处理包括调配、检测、过滤和加热等工序，步骤4)浸泡抛光，步骤5)喷洗抛光，步骤6)清洗和干燥，步骤7)抛光液的回收。该半导体材料晶片的抛光方法，通过在对半导体材料晶片抛光处理前对抛光液进行处理和检测，包括过滤和加热，使得抛光液保持在较好的状态，在对半导体材料晶片进行抛光打磨，从而提高半导体材料晶片的打磨效果和状态，然后经过两侧的抛光呈现出较好的抛光效果，其次在抛光对半导体材料晶片进行干燥处理以及对抛光液的回收处理，都提高了半导体材料晶片的抛光效果和质量以及方便程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 晶片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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