[发明专利]单核Cu(I)配合物晶体材料、制备方法、负载物及装置在审

专利信息
申请号: 202211364468.X 申请日: 2022-11-02
公开(公告)号: CN115838377A 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 陈琦峰;金向华;师东升;刘志军;孙猛 申请(专利权)人: 金宏气体股份有限公司
主分类号: C07F1/08 分类号: C07F1/08;C07C7/12;B01J20/22;C07C11/04;C07C9/06
代理公司: 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 代理人: 朱如松
地址: 215152 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了单核Cu(I)配合物晶体材料、制备方法、负载物及装置,其中晶体材料,其化学式为CuC16H15N3F6P,分子结构为[Cu(dmp)(CH3CN)][PF6],dmp为2,9‑二甲基‑1,10‑邻菲咯啉。本发明的晶体材料具有良好的稳定性和乙烯选择吸附性,能够高效分离乙烯/乙烷混合气体,该材料的生产制备过程简单,产率高,可控性好。
搜索关键词: 单核 cu 配合 晶体 材料 制备 方法 负载 装置
【主权项】:
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