[发明专利]基于倏逝波场强衰减特性调制式的光学邻近效应校正方法及装置在审
| 申请号： | 202211370699.1 | 申请日： | 2022-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN115712227A | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 韩丹丹;韦亚一;邓森 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开一种基于倏逝波场强衰减特性调制式的光学邻近效应校正方法及装置，涉及光刻分辨率增强技术领域。方法包括：通过对光刻胶内倏逝波的场强衰减特性进行建模分析，确定近场光学邻近效应对目标图形的有效作用范围；将目标图形作为表面等离子体光刻的输入图像，确定在预设曝光条件下目标图形对应的光刻胶内目标曝光图形的精确度和目标补偿曝光剂量；确定目标图形上需要进行补偿调制的区域，在有效作用范围内基于目标补偿曝光剂量对近场光学邻近效应进行补偿矫正，得到矫正后的校正图形；将校正图形作为输入图像，并将在预设曝光条件下提取光刻胶内校正曝光图形的轮廓进行比较，确定校正曝光图形的精确度和成本函数曲线数据。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 倏逝波 场强 衰减 特性 调制 光学 邻近 效应 校正 方法 装置 | ||
【主权项】：
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