[发明专利]晶圆的处理方法在审
| 申请号： | 202211376752.9 | 申请日： | 2022-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN115579282A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 李琳瑜;胡杏;田应超;曹瑞霞 | 申请（专利权）人： | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 周艳;胡春光 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种晶圆的处理方法，所述方法包括：对第一晶圆的边缘进行第一修边处理，在所述第一晶圆的边缘的拐角处形成第一倾斜面；所述第一倾斜面为平面或凹面；键合所述第一晶圆和第二晶圆。本公开实施例可以在键合前或键合后对第一晶圆进行第一修边处理，使最终得到的结构具有第一倾斜面且第一倾斜面可以是凹面或者是平面。这样，若后续需要对第一晶圆与第二晶圆进行解键合，可通过预留的第一倾斜面方便的操作，这样不会对第一晶圆和/或第二晶圆的键合面产生破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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