[发明专利]发光二极管及发光装置在审

专利信息
申请号: 202211379293.X 申请日: 2022-11-04
公开(公告)号: CN115799418A 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 蔡吉明;曾明俊;黄少华;彭康伟;林素慧;龙思怡;王鸿伟;张中英 申请(专利权)人: 厦门三安光电有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/38
代理公司: 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 代理人: 曾启航
地址: 361100 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管,其包括半导体叠层、第一电极和第二电极,半导体叠层具有台面、相对的下表面和上表面,半导体叠层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层,发光层位于第一半导体层和第二半导体层之间,台面是指第一半导体层的未被发光层覆盖的表面,第一半导体层在台面处具有贯通部,贯通部自第一半导体层的上表面贯穿至第一半导体层的下表面,第一电极至少设置在贯通部内以电连接第一半导体层,第二电极电连接第二半导体层。借此,通过贯通部的设置,使得通过第一电极注入的电流能够从第一半导体层的侧壁注入,进而降低操作电压。
搜索关键词: 发光二极管 发光 装置
【主权项】:
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