[发明专利]一种硅片表面的倒金字塔绒面结构的制备方法在审
申请号: | 202211382346.3 | 申请日: | 2022-11-07 |
公开(公告)号: | CN115579409A | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 李绍元;魏永强;马文会;陈秀华;席风硕;吕国强;陈正杰;于洁 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18;H01L31/06 |
代理公司: | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人: | 张宁 |
地址: | 650000 云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明属于太阳能电池技术领域,公开了一种硅片表面的倒金字塔绒面结构的制备方法。该方法包括以下步骤:先后用丙酮、乙醇、去离子水清洗硅片备用;将清洗后的硅片放入氢氟酸和氧化剂混合液或强碱中去除氧化硅层与非晶硅层;将硅片浸泡于含有氧化剂、刻蚀剂、金属离子的刻蚀液中,通过光照诱导制备得到刻蚀后的硅片;将刻蚀后的硅片浸泡在金属消除剂中去除表面金属粒子。该方法使用光照诱导纳米金属颗粒催化化学刻蚀制备硅表面倒金字塔结构,物理光照结合湿法化学刻蚀,可高效制备晶硅倒金字塔结构,并且通过光照诱导MCCE制绒,利用光生电子的捕获及光电子的分布,控制刻蚀均匀性发生及加快刻蚀速率,提高制绒效率与绒面质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 表面 金字塔 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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