[发明专利]具有温度补偿作用的三维相变存储器写电路及写操作方法在审
| 申请号： | 202211385465.4 | 申请日： | 2022-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN115762607A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 童浩;舒雨欢;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/24;G11C16/34 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 汪洁丽 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有温度补偿作用的三维相变存储器写电路及写操作方法：针对温度对存储单元阈值电压以及对关态电流的影响，分别通过字线供电和位线供电进行温度补偿，且在补偿温度对漏电流的影响时，考虑到存储单元的位置不同，关态电流的影响不同，因此，在补偿温度对关态电流的影响时，将存储单元按照位置划分为多个存储块，并将输出电压分为多组，不同的输出电压对应不同的存储块，由此针对不同位置的存储单元进行不同程度的温度补偿。通过本发明，针对关态电流的温度补偿降低了随温度升高而升高的的写操作的失败率；针对阈值电压的温度补偿减轻了温度升高造成的写操作时不必要的功耗浪费和错误的半压开启的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 温度 补偿 作用 三维 相变 存储器 电路 操作方法 | ||
【主权项】：
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