[发明专利]一种具有二次光电响应的红外光电探测器

摘要

本发明公开了一种具有二次光电响应的红外光电探测器，其包括绝缘衬底、金电极、银电极、n型InSe半导体和p型GaSe半导体，本方案的光电探测器的结构为：金电极在绝缘衬底上方，GaSe半导体在金电极上方，InSe半导体在GaSe半导体上方并形成InSe/GaSe异质结，银电极在InSe上方，InSe半导体与GaSe半导体接触形成的InSe/GaSe异质结具有PN结特性，可以形成内建电场以有效抑制探测器的暗电流，InSe半导体和GaSe半导体的光学二阶非线性将本不能被InSe半导体和GaSe半导体吸收的红外光转化为可以被InSe半导体吸收的二次谐波，进而产生光生载流子，进一步在PN结内建电场作用下产生光电流；本方案的探测器具有二次功率系数，可用于超短脉冲宽度测量，超分辨成像，以及超快光电混频信号处理。