[发明专利]一种具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202211392068.X | 申请日： | 2022-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN115762898A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 朱嘉琦;王卓超;曹文鑫;孙春强;姬栋超;宋梓诚;杨磊;高岗;张天宇;王永杰 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，本发明涉及一种透明电磁屏蔽薄膜的制备方法。解决现有自修复电磁屏蔽材料透明性、电磁屏蔽性、机械稳定性及自修复性能不佳的问题。方法：一、自修复聚氨酯基底的制备；二、银纳米线透明导电薄膜的制备；三、银纳米线‑MXene薄膜的制备；四、透明电磁屏蔽薄膜的后处理。本发明用于具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 室温 修复 能力 纳米 mxene 复合 透明 电磁 屏蔽 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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