[发明专利]同时监控关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构及监控方法在审
| 申请号： | 202211392767.4 | 申请日： | 2022-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN115911002A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 刘沛 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种同时监控关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构，包括测量版图包括第一至三版图结构；其中，第一版图结构包括多个依次分布的芯轴图形，其用于定义第一测量区域上的芯轴结构；第二版图结构包括第一、二隔离结构版图，第一、二隔离结构版图均包括多个依次分布的单扩散隔断图形；第一隔离结构版图中的单扩散隔断图形依次横跨部分或全部的芯轴图形，用于定义第一测量区域上单扩散隔断结构的形成位置；第二隔离结构版图中的单扩散隔断图形在远离芯轴图形的一侧依次分布，用于定义第二测量区域上的单扩散隔断结构的形成位置。本发明既可以用来监控实际被切割半导体结构的关键尺寸，也可以用来监控沟槽的刻蚀粗糙度，节省了切割道面积。 | ||
| 搜索关键词： | 同时 监控 关键 尺寸 刻蚀 粗糙 版图 结构 方法 | ||
【主权项】：
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