[发明专利]具有写辅助的存储器电路和方法在审
| 申请号： | 202211392789.0 | 申请日： | 2022-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN116266460A | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 韦森·罗威;黄万柏 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及具有写辅助的存储器电路和方法。存储器电路包括存储器单元列。列选择电路通过位线耦合到存储器单元列。列选择电路在向存储器单元列中的至少一个存储器单元的写操作期间响应于写控制信号而将位线的电压拉向预定电压。写使能电路生成写使能信号。再生中继器电路通过位线耦合到存储器单元列。再生中继器电路在写操作期间响应于写使能信号而将位线的电压拉向预定电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 辅助 存储器 电路 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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