[发明专利]具有超高深宽比的深沟槽隔离结构的制作方法在审
| 申请号： | 202211397249.1 | 申请日： | 2022-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN115799163A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李琳;谈娟;王妍;管毓崧;唐阿鑫;李宗旭;梁金娥;张守龙 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种具有超高深宽比的深沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上依次形成有第一介质层、第一氮化硅层、第二介质层、第二氮化硅层和第三介质层，其中，第一氮化硅层、第一介质层和衬底中形成有浅沟槽隔离结构；刻蚀第三介质层、第二氮化硅层、第二介质层、浅沟槽隔离结构和衬底以形成深沟槽隔离结构的沟槽；在沟槽的内壁上形成衬氧化层；在沟槽中沉积第一高密度等离子体膜层；在沟槽中沉积高深宽比工艺膜层，以形成气隙；在沟槽中沉积第二高密度等离子体膜层。根据本申请，确保深沟槽隔离结构中形成的气隙的侧壁和深沟槽隔离结构的侧壁之间有足够大的距离的同时尽可能的压低气隙的高度，最大限度的提高器件的隔离电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高深 深沟 隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211397249.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种屏幕压合机台
- 下一篇：一种应用金花菌发酵豆科种子的发酵设备及其发酵方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
