[发明专利]半导体激光器在审
| 申请号： | 202211401632.X | 申请日： | 2022-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN115832870A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 石建美;牛智川;杨成奥;张宇;徐应强;倪海桥;王天放;陈益航;余红光 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 赵婷 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体激光器，所述半导体激光器包括在衬底表面依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、上限制层、帽层、顶部电极，和形成于衬底背面的底部电极，所述上限制层、帽层和顶部电极形成脊条，所述脊条上设置有模式调控阵列结构，所述模式调控阵列结构包括沟道和箭头结构阵列，所述沟道形成于所述脊条的两侧，所述箭头结构阵列包括多个箭头结构单元，每个所述箭头结构单元包括至少一个箭头，其中，所述箭头结构阵列中的箭头结构单元形成于所述半导体激光器的侧向光场分布的N‑1阶模式的峰值位置，N为大于等于2的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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