[发明专利]一种功率半导体器件、逆变器模组以及电子设备在审
申请号: | 202211404413.7 | 申请日: | 2022-11-10 |
公开(公告)号: | CN115566052A | 公开(公告)日: | 2023-01-03 |
发明(设计)人: | 吴传贵;朱代磊;帅垚;罗文博 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/41 | 分类号: | H01L29/41;H01L29/78;H01L29/872 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本申请涉及提供一种功率半导体器件、逆变器模组以及电子设备,用于解决现有技术中功率半导体器件制备成本高、导通电阻大的技术问题。该器件结构包括:衬底;下电极,设置在所述衬底上;半导体单晶种子层,设置在所述下电极层上;半导体外延层,设置在所述半导体单晶种子层上;功率器件主体功能层,设置在所述半导体外延层上;电极引出部,与所述下电极连接,以引出所述下电极。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 半导体器件 逆变器 模组 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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