[发明专利]一种晶体管界面态仿真方法、计算设备及存储介质在审
| 申请号： | 202211405329.7 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN115659695A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 李兴冀;杨剑群;徐晓东;崔秀海 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人： | 尹泽民 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管界面态仿真方法、计算设备及存储介质。该方法包括：构建肖特基‑里德‑霍尔体复合模型，肖特基‑里德‑霍尔体复合模型包括单位体积下的第一界面陷阱浓度；将第一界面陷阱浓度转换为单位面积下的第二界面态陷阱浓度，根据第二界面态陷阱浓度构建出肖特基‑里德‑霍尔表面复合模型；构建电子连续性方程和空穴连续性方程；将肖特基‑里德‑霍尔表面复合模型分别与电子连续性方程和空穴连续性方程耦合，得到晶体管界面态模型；利用晶体管界面态模型对晶体管在不同第二界面态陷阱浓度下的基极电流进行仿真。本技术方案的有益效果是：通过仿真模拟界面态对晶体管基极电流的影响，避免了进行繁琐的地面实验，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 界面 仿真 方法 计算 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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