[发明专利]IGBT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202211408017.1 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN115566060B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 侯晓伟;郭依腾;罗杰馨;柴展 | 申请（专利权）人： | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201822 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，器件包括：衬底，衬底上形成有IGBT发射极、IGBT栅极和IGBT集电极；虚设栅极，设置于栅极和IGBT发射极之间；NMOS管，设置于IGBT栅极和虚设栅极之间，NMOS管的源极和栅极与IGBT栅极电连接，漏极与虚设栅极电连接；NPN三极管，设置于虚设栅极和IGBT发射极之间，NPN三极管的集电极与虚设栅极电连接，发射极与IGBT发射极电连接，基极通过电感与IGBT发射极电连接。本发明通过在器件不同工作状态(导通状态和关断过程)时控制虚设栅极的电位的变化，可以有效改善器件发热，提升功率密度，进而提升器件性能，使IGBT器件可用于更高频率的应用。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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