[发明专利]半导体结构和半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 202211408804.6 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN115663022B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 彭志高;陶永洪 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/868;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 颜欢 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构和半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构包括衬底、半导体外延层、场氧化层、阳极层和钝化层，阳极层被配置为从有源区上延伸设置在部分场氧化层上，阳极层的侧壁与顶壁之间通过一弧形的连接面连接，钝化层覆盖在阳极层的侧壁上并延伸覆盖至连接面上。通过将阳极层的侧壁上部拐角处设置成圆弧状，能够使得阳极层的侧壁与顶壁之间能够平滑过渡，避免了倾斜角度的急剧变化，从而避免了钝化层在侧壁上拐角处产生应力集中现象。本发明提供的半导体结构，其能够减小由于金属层陡直造成的拐角应力集中造成的裂痕问题，提升器件的抗湿气能力，并优化钝化层的爬坡问题，提升钝化层的成型质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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