[发明专利]一种基于STT和SOT协同作用的磁随机存储器结构在审
| 申请号： | 202211429007.6 | 申请日： | 2022-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN115691598A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 游龙;李少平;张帅;候金成;曹真 | 申请（专利权）人： | 武汉金汤信安科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理有限公司 11562 | 代理人： | 高天星 |
| 地址： | 430058 湖北省武汉市经济技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于STT和SOT协同作用的磁随机存储器结构，包括：源线source line，字线word line，位线bit line，磁性隧道结MTJ；source line用于给整个结构输送电力；word line用于控制所述MTJ的写入与读出；bit line用于控制写入电流的输入并用于所述MTJ的阻态的读出。MTJ包括自由层、隧穿层、钉扎层、重金属层。本发明简化了SOT‑MRAM阵列的电路结构，提高了TMR比值，进而提高了电路的稳定性，通过两个存储单元共用一条位线bit line和源线source line的结构提高磁随机存储器的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 stt sot 协同 作用 随机 存储器 结构 | ||
【主权项】：
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