[发明专利]一种金刚石线切割晶体硅片的绒面制备方法在审
| 申请号： | 202211432784.6 | 申请日： | 2022-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN115692183A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 章金兵;胡动力;周小英 | 申请（专利权）人： | 浙大宁波理工学院 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人： | 胡天人 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金刚石线切割晶体硅片的绒面制备方法，分为预处理和制绒两个步骤。其中预处理提供了一种改性金刚石线切割晶体硅片，实际上是对现有的金刚石线切割硅片的改进，使其表面反应活性大幅提高，有利于后续的混酸腐蚀和碱腐蚀制备绒面结构，进而提高制备出的太阳电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 切割 晶体 硅片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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