[发明专利]JFET注入型N沟道SiC MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211434734.1 | 申请日： | 2022-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN115714141A | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 刘相伍;王永维;陟金华;廖龙忠;安国雨;周国;冯旺;张力江;付兴中;商庆杰;高昶 | 申请（专利权）人： | 北京国联万众半导体科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 | 代理人： | 黄辉本 |
| 地址： | 101300 北京市顺义*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种JFET注入型N沟道SiC MOSFET器件及其制备方法，所述方法包括如下步骤：在外延层上淀积第一介质层作为离子注入缓冲层；将JFET区上方的第二介质层刻蚀，刻蚀后进行JFET区离子注入；淀积第三介质层，再大面积刻蚀第三介质层并终止于第二介质层，腐蚀第二介质层，自对准形成P阱注入图形，进行P阱注入；再淀积第四介质层，对第四介质层进行光刻形成N型重掺杂源区图形，自对准形成沟道；腐蚀掉第三介质层与第四介质层，光刻形成P型重掺杂接触区，进行离子注入；热氧化形成栅介质层，通过LPCVD淀积多晶硅作栅极完成正面结构。所述方法避免了光刻精度不足，且光刻步骤少，易于精确控制沟道长度，并能够降低JFET电阻，提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | jfet 注入 沟道 sic mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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