[发明专利]一种高纯锗漂移探测器在审
| 申请号： | 202211435148.9 | 申请日： | 2022-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN115826031A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 宋龙龙;王宏伟;范功涛;刘龙祥;黄宇营 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;G01T7/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 杨怡清 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高纯锗漂移探测器，包括主体部分，其包括探测器晶体、覆盖全部表面的无定形锗接触层和电极层；电极层包括最顶部的分离电极组和最底部的整体电极，分离电极组包括电荷收集电极和环绕的多个环形电极，最外侧的为保护环电极，其余为漂移电极；电压偏置部分，向环形电极和整体电极均施加正偏压，且漂移电极施加的电压绝对值由外到里逐渐递减，电荷收集电极处于地电位；和信号采集处理系统。本发明的探测器结合漂移探测器构型、锗晶体的厚尺寸和无定形锗接触工艺，将漂移拓扑结构应用在基于无定形锗接触的平面型高纯锗探测器中，进一步增加其能量分辨、时间性能，同时极大的扩展探测灵敏面积，并且拥有更高的探测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 漂移 探测器 | ||
【主权项】：
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