[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211440588.3 | 申请日： | 2022-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN115915754A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 邵光速 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高天华;浦彩华 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括：第一半导体柱，包括沿竖直方向由下至上依次设置的第一源极区、第一沟道区和第一漏极区，所述第一源极区与第一位线连接，所述第一沟道区与第一字线耦接；第二半导体柱，与所述第一半导体柱沿第一方向并列排布，所述第二半导体柱包括沿第二方向依次设置的第二源极区、第二沟道区和第二漏极区，所述第一方向和所述第二方向相交且均垂直于所述竖直方向；所述第二源极区与第二位线连接，所述第二漏极区与第二字线连接；存储线，沿第一方向延伸，所述存储线连接所述第一漏极区的顶部且与所述第二沟道区耦接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211440588.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：浸油式驱动电源线缆密封结构
- 下一篇：一种二次电池
