[发明专利]改进的镍铬铝薄膜电阻器在审
| 申请号： | 202211453667.8 | 申请日： | 2022-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN116190355A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | G·M·鲍尔;K-A·沙赫特施奈德 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01C7/00;H01C17/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请题为“改进的镍铬铝薄膜电阻器”。一种集成电路(200)包括形成在电介质层(102，218A)上方的薄膜电阻器主体(104，226)。界面层(106)形成在薄膜电阻器主体上并且电阻器头(108，228)形成在界面层上。薄膜电阻器主体(104，226)包括镍铬铝(NiCrAl)并且电阻器头(108，228)包括钛钨(TiW)。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 镍铬铝 薄膜 电阻器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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