[发明专利]一种具有N-top区的SiC MOSFET结构在审
| 申请号： | 202211453934.1 | 申请日： | 2022-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN115799304A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;高崇兵;喻明康 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有N‑top区的SiC MOSFET结构，该结构在常规SiC MOSFET结构的基础上，在JFET区与栅极界面中心加入了一个低掺杂的N‑top区。当MOSFET进入短路状态时，短路电流在靠近JFET区中心位置流过，低掺杂的N‑top区可以有效降低JFET区的电流密度，达到降低器件功率损耗；减缓温度积累；提高短路耐受能力的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 top sic mosfet 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211453934.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
