[发明专利]一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法，属于光电子器件领域。全硅光电探测器包括补偿掺杂的吸收区、收集电流的P++和N++重掺杂区。一方面，通过P型和N型混合的补偿掺杂的方式，在硅波导内部引入了超过传统的单次掺杂的缺陷密度，同时形成具有本征半导体性质的吸收区，避免对光探测无贡献的自由载流子吸收。另一方面，通过狭缝波导提高了界面处的缺陷密度以及增强了缺陷与光之间的相互作用。从而，全硅光电探测器可以利用在硅波导中引入的缺陷以及增强光与缺陷的相互作用来实现光通信波段(1.3‑1.6μm)的光探测。此外，本发明的制备过程完全兼容CMOS工艺，无需引入其他材料，具备低成本和高集成度的优势。