[发明专利]横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路有效
| 申请号： | 202211461416.4 | 申请日： | 2022-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN115642182B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 陈燕宁;余山;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;郁文;邵亚利;沈美根;张东 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李红 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：硅衬底；阱区；第一氧化隔离层和第二氧化隔离层，形成于阱区的两侧；第一漏极重掺杂区和第二漏极重掺杂区均为具有至少一个坡面的凸台状梯形体结构，第一漏极重掺杂区形成于部分第一氧化隔离层上，第二漏极重掺杂区形成于部分第二氧化隔离层上；第一漏极重掺杂区与第一漏极金属电极构成第一漏极，第二漏极重掺杂区与第二漏极金属电极构成第二漏极；体区、漂移区、第一场板、栅极、源极，形成于阱区。通过本发明提供的晶体管，能够改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 场效应 晶体管 制作方法 芯片 电路 | ||
【主权项】：
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