[发明专利]具有MAX或MX导电材料的集成电路在审
| 申请号： | 202211462451.8 | 申请日： | 2022-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN116314088A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | C·H·内勒;C·J·杰泽斯基;J·D·比勒费尔德;J-R·陈;R·V·谢比亚姆;M·J·科布林斯基;M·V·梅茨;S·B·格伦迪宁;S·李;K·P·奥布莱恩;K·K·马克西;A·V·佩努马季哈;C·J·多罗;U·E·阿维奇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/532;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述了具有由MX或MAX材料形成的导电区域的集成电路装置。MAX材料是分层的六方碳化物和氮化物，其包括前过渡金属(M)和A族元素(A)。MX材料去除了A族元素。MAX和MX材料是高度导电的，并且它们的二维层结构允许形成非常薄的层。MAX或MX材料可以用于形成IC电路的几种导电元件，包括接触部、互连或者用于接触部或互连的衬层或阻挡区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 max mx 导电 材料 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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