[发明专利]具有用于有源管芯中的无金属缩减的街道中的基准的HBI管芯架构在审
| 申请号： | 202211471495.7 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN116344510A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | O·卡尔哈德;N·A·德什潘德 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/488 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开的实施例包括半导体装置。在一个实施例中，管芯包括衬底，其中，衬底包括半导体材料。在实施例中，后端层在衬底之上，其中，后端层包括导电布线。在实施例中，管芯还包括从后端层和衬底的边缘延伸出的突起。在实施例中，基准在突起的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 有源 管芯 中的 金属 缩减 街道 基准 hbi 架构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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