[发明专利]经由弛豫缓冲层中的离子注入的应变补偿以防止晶圆弓

摘要

本申请名称为“经由弛豫缓冲层中的离子注入的应变补偿以防止晶圆弓”。在一个实施例中，一种集成电路包括衬底、缓冲层、源区、漏区、沟道区和栅结构。所述衬底包括硅。所述缓冲层处于所述衬底上方，并且包括在与所述衬底的界面附近具有缺陷的半导体材料。所述缓冲层还包括在所述缺陷之中所注入的离子。所述源区和漏区处于所述缓冲层上方，以及所述沟道区处于所述缓冲层上方以及所述源区与漏区之间。所述栅结构在所述沟道区上方。