[发明专利]一种基于自旋涡度耦合的自旋电子学器件在审

专利信息
申请号: 202211477246.9 申请日: 2022-11-23
公开(公告)号: CN115884662A 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 崔彬;胡季帆;安泰宇 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: H10N50/10 分类号: H10N50/10
代理公司: 北京创智合源知识产权代理事务所(普通合伙) 16092 代理人: 马金华
地址: 250100 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种高效的Si/SiO2/Ni81Fe19/Cu‑CuOx/TaN自旋电子学器件。该自旋电子学器件的结构依次包括:基片、磁性层、非磁性层、保护层;其中,所述磁性层为Ni81Fe19层,所述非磁性层为Cu‑CuOx层。具体结构可为:Si/SiO2/Ni81Fe19(10nm)/Cu‑CuOx(1‑20nm)/TaN(1nm)或者Si/SiO2/Ni81Fe19(10nm)/Al‑AlOx(1‑20nm)/TaN(1nm)。本发明使用轻金属Cu、Al替代传统重金属Pt、Ta作为自旋流产生层,可以更高效的将电荷流转换为自旋流,具有高效的自旋轨道矩产生效率。器件在退火后自旋霍尔磁电阻和自旋轨道矩产生效率得到很大提高,热稳定性良好。
搜索关键词: 一种 基于 旋涡 耦合 自旋 电子学 器件
【主权项】:
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