[发明专利]一种深紫外发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211480737.9 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115763659A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 岳金顺;张骏;陈景文;张毅 | 申请（专利权）人： | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 张杰 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种深紫外发光二极管及其制备方法，深紫外发光二极管包括衬底以及设置于衬底上的外延层，深紫外发光二极管还包括侧壁部，侧壁部包括部分衬底的侧面以及外延层的侧面，且侧壁部与衬底底面的角度在预设范围内，其中，深紫外发光二极管还包括设置于侧壁部上的反射层，反射层用于反射外延层内部发射的光线；本发明提供的深紫外发光二极管在侧壁部上设置反射层，以将外延层内部发射的光线反射至衬底底面，从而在增大了衬底底面的出射光线的出光角的同时，增大了深紫外发光二极管的侧面出光比例，进一步增大了深紫外发光二极管的出光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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