[发明专利]速率常数的测试方法、装置、存储器芯片和可读存储介质在审
| 申请号： | 202211480792.8 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN115902421A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 杨杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26;G01R31/64;G01R31/26;G01R19/08;G01R29/24 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种可动离子电荷的速率常数的测试方法、装置、存储器芯片和可读存储介质，测试方法包括：响应于施加于栅极的扰动信号，测量可动离子电荷扰动时的衬底电流，扰动信号用于驱动可动离子电荷脱离栅极侧的电子；基于衬底电流确定可动离子电荷运动产生的运动电流密度；基于运动电流密度确定可动离子电荷远离栅极与靠近栅极的速度相等时的交换电流密度；测量可动离子电荷的面密度；基于交换电流密度和面密度确定速率常数。通过本公开的技术方案，基于检测到的速率常数，能够检测可动离子电荷在氧化层中的运动对阈值电压的影响，在检测到对阈值电压的影响较大时，进一步制定相应的改善策略，以提升MOS器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 速率 常数 测试 方法 装置 存储器 芯片 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
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