[发明专利]一种存储单元结构及其读写方法在审
| 申请号： | 202211481541.1 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115715084A | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 毕津顺 | 申请（专利权）人： | 天津市滨海新区微电子研究院 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00;G11C5/06;G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300450 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储单元结构，包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、写位线WBL、写字线WWL、读字线RWL和读位线RBL，其中，所述晶体管M1的漏极连接所述写位线WBL、栅极连接所述写字线WWL、源极连接所述晶体管M2的栅极；所述晶体管M2的源极接地、漏极与所述晶体管M3的源极连接；所述晶体管M3的栅极连接所述读字线RWL、漏极连接所述读位线RBL；所述写位线WBL、所述写字线WWL、所述读字线RWL和所述读位线RBL分别连接第一、第二、第三和第四电源模块。该存储单元结构简单，并且写路径与读路径分离，降低了写和读之间的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 单元 结构 及其 读写 方法 | ||
【主权项】：
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