[发明专利]一种单光子雪崩二极管及其制备方法

摘要

本公开涉及一种单光子雪崩二极管及其制备方法，该单光子雪崩二极管包括：衬底层、器件层以及非周期性光栅；器件层内嵌于衬底层内，非周期性光栅设置于器件层未被衬底层包覆的表面；非周期性光栅用于使入射的光线发生衍射和共振耦合；器件层用于将入射光信号进行光电响应生成电信号。由此，通过设置衬底层、器件层以及非周期性光栅，形成具有非周期性光栅的单光子雪崩二极管，基于非周期性光栅对入射的光线的衍射和共振耦合作用，将光耦合到器件层提升了光子吸收效率，增强了光吸收效果，利于单光子雪崩二极管实现高灵敏度的光电探测。