[发明专利]一种低暗电流铟镓砷焦平面探测器的制备方法

摘要

本发明涉及一种低暗电流铟镓砷焦平面探测器的制备方法，属于InGaAs探测器技术领域。在InP衬底上按顺序依次生长InP缓冲层、InGaAs腐蚀停层、N型InP接触层、InGaAs吸收层、N型InP帽层以及InGaAs接触层；然后在InGaAs接触层做P型接触区光刻，再做扩散区光刻并进行Zn扩散且扩散至InGaAs吸收层，则在含有Zn掺杂的区域形成P型掺杂区；再做N型接触区光刻，在P型掺杂区四周形成N型接触区；再做欧姆接触区光刻以形成P型与N型欧姆接触区；再进行电极图形光刻以形成P区与N区金属电极区；最后进行分割，并分别与读出电路连接，则形成多个低暗电流铟镓砷焦平面探测器。