[发明专利]基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 202211483210.1 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115716750A | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 薛继梅;刘玉强;侯泽鑫;高源;杨帆 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/583;C04B35/622;C04B41/89 |
| 代理公司： | 重庆三航专利代理事务所(特殊普通合伙) 50307 | 代理人： | 万文会 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，以多孔莫来石为基底，沉积SiC陶瓷，制备具有层状结构的多孔莫来石/BN/SiC复相陶瓷。由于化学气相渗透（CVI）工艺制备的BN陶瓷晶化程度较低，热处理可改变其晶化程度和微结构，对化学气相沉积（CVD）SiC陶瓷的形核与长大过程起诱导作用，进而调控多孔莫来石/BN/SiC复相陶瓷的微结构和介电性能。通过控制莫来石/BN复相陶瓷的热处理温度和时间，优化多孔莫来石/BN/SiC复相陶瓷的微结构、晶化程度和元素组成，制备微结构和介电性能可调的莫来石/BN/SiC复相陶瓷，获得优异的电磁波吸收性能。该方法为基底诱导化学气相沉积硅基陶瓷的制备与性能调控提供了制备方法，有潜力用于制备承载吸波一体化陶瓷基复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 诱导 化学 沉积 sic 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
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