[发明专利]一种降低SGT MOSFET中寄生电容的方法在审
| 申请号： | 202211483389.0 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115911107A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 马晓琳;沈浩峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低SGT MOSFET中寄生电容的方法，在硅基底上形成凹槽，在凹槽内壁形成氧化硅层；在凹槽内填充多晶硅，刻蚀多晶硅，去除凹槽顶部的多晶硅，使得凹槽顶部的空间未被填充，凹槽内剩余的多晶硅形成源极多晶硅；在源极多晶硅上表面生长源极氧化层；去除凹槽内源极多晶硅以上的氧化硅层以及源极氧化层，将源极多晶硅的上表面露出；形成栅极氧化层，栅极氧化层覆盖在源极多晶硅上表面以及露出的凹槽侧壁；沉积多晶硅以填充凹槽，并刻蚀去除凹槽外的多晶硅，覆盖在凹槽内的栅极氧化层上的多晶硅形成栅极多晶硅。本发明通过在源极多晶硅刻蚀后增加源极氧化层的生长来降低栅极和漏极之间重叠面积来降低电容Cgd，进而改善器件开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 sgt mosfet 寄生 电容 方法 | ||
【主权项】：
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