[发明专利]激光退火反应装置在审
| 申请号： | 202211487730.X | 申请日： | 2022-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN116207004A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 刘金彪;贺晓彬;杨涛;李俊峰;罗军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 陈晓瑜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光退火反应装置，其包括：高压腔体、载片台、穿透板、第一调压阀和第二调压阀；高压腔体的内部设置有反应腔室，高压腔体的表面开设有照射口、进气口和排气口，照射口、进气口和排气口分别与反应腔室连通；高压腔体用于通过进气口向反应腔室充入反应气体，通过排气口将反应腔室内的反应气体排出高压腔体；第一调压阀固定设置在高压腔体的进气口处；第二调压阀固定设置在高压腔体的排气口处；穿透板位于照射口处并与高压腔体密封连接，穿透板用于使激光穿过穿透板对反应腔室内的晶圆进行激光退火；载片台与高压腔体固定连接，载片台用于承载反应腔室内的晶圆。本发明能够提高晶圆在激光退火后结晶的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 反应 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
